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TRANSISTOR MMBT5551 BJT NPN 160V 600MA SOT-23 G1 SMD
El MMBT5551 es un transistor bipolar NPN de alta tensión para aplicaciones de amplificación y conmutación. Puede soportar hasta 160V entre colector y emisor y una corriente de colector continua de hasta 600mA. Su encapsulado SOT-23 facilita el montaje superficial en circuitos electrónicos compactos. Es especialmente útil en etapas de control, drivers, amplificadores y circuitos de conmutación.
Conmuta cargas de alto voltaje y amplifica señales de forma segura en circuitos compactos. Este transistor bipolar NPN MMBT5551 de montaje superficial (marcado como G1) está diseñado específicamente para aplicaciones que requieren una capacidad de manejo de hasta 160 V.
Alta tension de operacion
Voltaje VCEO maximo: 160V
Corriente IC maxima: 600mA
Adecuado para amplificacion
Adecuado para conmutacion
Codigo de marcado: G1
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Polaridad del transistor: NPN BJT
Tensión colector-emisor (VCEO): 160 V máximo
Tensión colector-base (VCBO): 160 V máximo
Tensión emisor-base (VEBO): 5 V máximo
Corriente continua del colector (IC): 600 mA
Disipación de potencia (PD): 350 mW
Ganancia de corriente continua (hFE): 80 a 250 (típico)
Tipo de encapsulado: SOT-23 (montaje en superficie)
Código de marcado superior: G1
Referencia de producto: MMBT5551(G1)